Plasmatechnik - Leiterband

Hochpräzises Ätzen von Oberflächen

Ätzen mit Niederdruck-Plasma

Flexibles, anwendungsbezogenes Verfahren

Beim Plasma-Ätzen kann praktisch jedes organische Material bearbeitet werden. Dabei beruht die Ätzwirkung auf der gleichen chemischen Reaktion wie das Reinigen. Nur die verschiedenen Parameter wie z.B. Zeit und Leistung werden den Erfordernissen angepasst.

Zusätzlich zum Sauerstoff können weitere Gase zugesetzt werden, die die Ätzrate deutlich steigern können. Meist werden fluorierte Gase wie CF4 benutzt. Die dabei erzeugten Fluorradikale sind erheblich reaktiver als das Sauerstoff-Plasma. Jedoch müssen die Reaktionsprodukte durch geeignete Filter zurückgehalten werden.


Vorteile des Plasma-Ätzens

  • Hohe Spaltgängigkeit, daher auch für Mikro-Löcher geeignet
  • Praktisch alle Dielektrika ätzbar
  • Keine toxischen Chemikalien notwendig
  • Simultane Bearbeitung aller Löcher
  • Niedrige Betriebskosten

Ökologische und ökonomische Vorteile

Das Plasmaverfahren zeichnet sich im Vergleich zu den herkömmlichen nasschemischen Verfahren durch einen sehr geringen Chemikalieneinsatz aus. Zudem sind die überwiegend eingesetzten Prozessgase ungefährlich (z.B. Sauerstoff, Stickstoff oder CF4 ), leicht verfügbar und preiswert.

Somit entfallen aufwändige Investitionen in die Arbeitssicherheit und teure Entsorgungskosten. Der Energiebedarf ist relativ gering, und eine Trocknung der Bauteile entfällt, da es sich um einen trockenchemischen Prozess handelt.


Desmearing / Rückätzen

Eine weitere Anwendung für die Plasmatechnologie ist das Desmearing oder Rückätzen von mechanisch gebohrten Leiterplatten. Der Prozess kann gleichzeitig an der Vorder- und Rückseite der Leiterplatten und simultan an allen Löchern erfolgen. Durch die hohe Spaltgängigkeit des Plasmaprozesses können auch Löcher < 0,3 mm rückgeätzt werden – selbst bei Materialien wie Teflon.

Moderne Leiterplatten und viele andere Elektronikkomponenten basieren auf hochwertigen Folien. Deren Bearbeitung kann sowohl durch Plasma-Ätzen als auch durch Plasma-Aktivieren erfolgen.

Anwendungsbereiche

  • Halbleiterindustrie
  • Leiterplattenindustrie
  • Mikroelektronik
  • MEMs